8分钟前 山东银管加工来电垂询「在线咨询」[东创贵金属cbe5e60]内容：
采用连续式硫化法的情况下，不会有因切去加压成形产生的毛边或一般的挤压处理和在硫化处理槽内进行处理时橡胶管两端翘起的部分而导致的橡胶浪费，另外能够缩短制造时间和减少人工费用，因此能够降低辊筒的制造成本，从这些方面考虑，此方法优于间歇式硫化法。可以用半导体材料锗及超纯金属铝为例说明典型的超纯金属制备及检测的原理（见区域熔炼）。
此外，硫化处理后，由于对每个辊筒都进行了剪切，所以基本上不会出现上述差别，这样就可缓解长度方向的电阻值的不均匀。
对圆周方向的电阻值的不均匀依然无法改善。
此外，采用连续硫化法时，如果硫化时的热传递没有设法尽量达到均匀，则挤压后的硫化速度不一致，这样可能电阻值的不均匀程度反而大于间歇式硫化法。特别是在圆周方向上这种倾向更显著。
采用连续硫化法时，在挤压机的挤压筒内的半径方向上有非常大的剪切速度分布，这可能会影响电子导电性填充剂的分散。
由表面层和基层组成的半导电辊；该表面层具有较高的电阻值，由橡胶组合物制成；基层具有较低的电阻值，由导电橡胶组合物组成。该半导电辊的目的在于通过良好地平衡表面层和基层的电阻值而获得良好的静电充电特性。有必要使这两种层的厚度高度准确。在单晶体高纯材料中，晶体缺陷对材料性能起显著影响，称为物理杂质，主要依靠在晶体生长过程中控制单晶平稳均匀的生长来减少晶体缺陷。为使两种层的厚度高度准确，需要较麻烦的管理，并且生产橡胶辊的成本较高。
在所有应用产业中，半导体产业对靶材溅射薄膜的品质要求是苛刻的。如今12英寸（300衄口）的硅晶片已制造出来．而互连线的宽度却在减小。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒，这就要求所制造的靶材具有更好的微观结构。科技的进步和发展，使传统产业发生剧烈的变迁，也使贵金属的供求状况出现急剧的变化，这种变化也是导致了贵金属的价格出现剧烈波动的因素之一。靶材的结晶粒子直径和均匀性已被认为是影响薄膜沉积率的关键因素。另外，薄膜的纯度与靶材的纯度关系极大，过99.995%（4N5）纯度的铜靶，或许能够满足半导体厂商0.35pm工艺的需求，但是却无法满足如今0.25um的工艺要求。
