Ecopia HMS-5300全自动变温霍尔效应测试仪

　　霍尔效应测试仪主要用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数、导电类型等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此霍尔效应测试仪是理解和研究半导体材料电学特性*的工具。

　　主要型号:

　　1/ HMS-5300：温度范围80K-573K，或者常温-573K；

　　2/ HMS-5500：温度范围80K-773K，或者常温-773K；

　　产品组成:

　　1、 主机系统

　　恒电流源+范德堡(Van der Pauw)方法终端转换系统

　　2、 0.51特斯拉高温磁体包 (AHT55T3)

　　- 0.51特斯拉永磁体，马达控制自动移动及换向

　　- 高温样品台及弹簧夹头

　　- 温度传感器及温控仪

　　- 惰性气体接口及惰性气体保护腔

　　产品规格：

　　1、 主要实验参数

　　输入电流：1nA ~ 20mA；

　　电阻率：10exp(-5) ~ 10exp7Ω.cm；

　　载流子浓度：10exp7 ~ 10exp21 cm-3；

　　迁移率：1 ~ 10exp7 cm2/Volt.sec；

　　磁场强度：0.51T；

　　样品测量板：弹簧样品板；

　　样品尺寸：5mmX5mm  ~ 20mmX20mm；

　　高温腔温度：常温~573K (773K)；

　　低温腔温度：80K-350K(选配)；

　　磁体包尺寸：700×220×280 mm (W×H×D) / 15.5Kg；

　　2、 软件操作环境

　　XP / VISTA / Win7 / Win8 / Win10环境下

　　3、 实验结果

　　- 体载流子浓度、表面载流子浓度；

　　- 迁移率；

　　- 霍尔系数；

　　- 电阻率、方块电阻；

　　- 磁致电阻；

　　- 电阻的纵横比率；

　　4、 仪器尺寸和重量

　　主机尺寸：440×420×140 mm (W×H×D) / 8.5Kg；

　　5、 测量材料

　　Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, TCO(including ITO), AlZnO, FeCdTe, ZnO等所有半导体薄膜(P型和N型)；

　　更多详情请咨询：http://www.shqiruikeji.com/SonList-2183291.html

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